[发明专利]一种功率器件防护芯片及其制造方法

摘要

本发明公开一种功率器件保护芯片，功率器件保护芯片包括第一导电类型的衬底，还包括第一导电类型的第一外延层、第二导电类型的注入区和第二外延层、沟槽、氧化硅层和第一金属层，第一外延层形成在衬底的上表面，注入区自第一外延层的上表面向下形成，第二外延层形成在第一外延层上表面，沟槽自第二外延层的上表面向下延伸并暴露出第一外延层的上表面，沟槽的侧壁形成有氧化硅层，第一金属层填满沟槽，并位于注入区的上表面。还公开了功率器件保护芯片的制造方法，实现了快速封装，并且双向多路集成，提高了器件的性能。

主权项

1.一种功率器件保护芯片，其特征在于，所述功率器件保护芯片包括第一导电类型的衬底，还包括第一导电类型的第一外延层、第二导电类型的注入区和第二外延层、沟槽、氧化硅层和第一金属层，所述第一外延层形成在所述衬底的上表面，所述注入区自所述第一外延层的上表面向下形成，所述第二外延层形成在所述第一外延层上表面，所述沟槽自所述第二外延层的上表面向下延伸并暴露出所述第一外延层的上表面，所述沟槽的侧壁形成有所述氧化硅层，所述第一金属层填满所述沟槽，并位于所述注入区的上表面，所述功率器件保护芯片还包括形成在所述衬底下表面的第二导电类型的扩散层、形成在所述第二外延层的上表面的第二金属层和形成在所述扩散层的下表面的第三金属层。