[发明专利]亲水基硅胶表面处理工艺

摘要

本发明公开一种亲水基硅胶表面处理工艺，包括以下步骤，（1）将多个硅胶件间隔摆放于放料治具中；（2）启动亲水基机，进行排热气；（3）多根亲水基灯管由冷状态开启，隧道炉内的照度和温度开始爬升；（4）输送带将放料治具运输到隧道炉内，亲水基灯管对放料治具上的多个硅胶件的外表面进行照射，亲水基灯管照射出的高能光子击断空气中的氧原子，其反应方程式为，O₂→O＋O；同时，高能光子击断硅胶件中的甲基乙烯基硅橡胶结构式得到CH₃，击断的氧原子和甲基乙烯基硅橡胶反应生成亲水基CHO‑、OH‑、COH‑。经本发明处理后的硅胶件表面变光滑，触摸起来手感更好，同时，硅胶件表面贴合度、防污性大大提高，且亲水基制程中，完全不产生污染，更加环保。

主权项

1.一种亲水基硅胶表面处理工艺，其特征在于：包括有以下步骤，（1）将多个硅胶件间隔摆放于放料治具中，间隔摆放能使多个硅胶件的侧面也能照射到；（2）于亲水基机控制系统中设定好温度、输送带传输速率和照射时间，再启动亲水基机，亲水基机的输送带开始运转，且亲水基机的抽风系统将亲水基机之隧道炉内的热空气排出，同时常温空气进入隧道炉内；（3）隧道炉内的热空气完全排出后，抽风系统停止工作，此时隧道炉内的多根亲水基灯管由冷状态开启，隧道炉内的照度和温度开始爬升，照度爬升达标后，抽风系统继续工作，抽风系统将隧道炉内的热空气稳定排出，使隧道炉内温度不过高；（4）将步骤（1）中定位好硅胶件的放料治具放置在亲水基机的输送带上，输送带将放料治具运输到隧道炉内，亲水基灯管对放料治具上的多个硅胶件的外表面进行全面照射，亲水基灯管照射出的高能光子击断空气中的氧原子，其反应方程式为，O2→O＋O；同时，高能光子击断硅胶件中的甲基乙烯基硅橡胶结构式得到CH3，甲基乙烯基硅橡胶的结构式为，击断的氧原子和甲基乙烯基硅橡胶结构式反应生成亲水基CHO‑、OH‑、COH‑；（5）输送带将照射完成的硅胶件运输出隧道炉外，人员再将照射完成的硅胶件从放料治具取下，加工完成。