[发明专利]一种防护芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种防护芯片，包括：第一导电类型的衬底，形成在所述衬底的上表面的第一导电类型的第一外延层，自所述第一外延层的上表面向下形成的倒T型的多个第一沟槽，所述第一沟槽包括横向沟槽及与所述横向沟槽连通的纵向沟槽，自所述横向沟槽的底面向所述第一外延层延伸形成的第二导电类型的第一注入区，填充所述横向沟槽的第二导电类型的第二外延层，填充所述纵向沟槽并延伸至所述横向沟槽的底部的第一导电类型的第三外延层，自所述第一外延层的上表面向所述纵向沟槽的两侧延伸的第一导电类型的第二注入区。其还公开了上述防护芯片的制备方法。其能实现双向保护，且寄生电容小，满足高频电路的需求。

主权项

1.一种防护芯片，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底，形成在所述衬底的上表面的第一导电类型的第一外延层，自所述第一外延层的上表面向下形成的倒T型的多个第一沟槽，所述第一沟槽包括横向沟槽及与所述横向沟槽连通的纵向沟槽，自所述横向沟槽的底面向所述第一外延层延伸形成的第二导电类型的第一注入区，填充所述横向沟槽的第二导电类型的第二外延层，填充所述纵向沟槽并延伸至所述横向沟槽的底部的第一导电类型的第三外延层，自所述第一外延层的上表面向所述纵向沟槽的两侧延伸的第一导电类型的第二注入区，形成在所述衬底的下表面的第一金属层，形成在所述第一外延层、所述第二注入区和所述第三外延层的上表面的第二金属层。