[发明专利]一种MOS管的阈值电压检测方法在审

专利信息
申请号: 201811289295.3 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN109188236A 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 王靓;莫保章 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种MOS管的阈值电压检测方法,包括以下步骤:步骤S1、提供一测试仪器,将所述测试仪器接地放电;步骤S2、将一MOS管与所述测试仪器电性连接;步骤S3、将所述MOS管的基极接地,向所述MOS管的漏极施加偏压Vd;步骤S4、向所述MOS管的栅极按一定步进施加电压Vgi,同时测试所述MOS管的所述漏极的电流Idi;步骤S5、根据Vgi和Idi,采用最小二乘法拟合,得到跨导值‑电流曲线,并根据所述跨导值‑电流曲线处理得到所述MOS管的阈值电压Vt;其中,i=1、2、……、n,n为大于1的正整数。其优点在于,通过最小二乘法对MOS管的跨导值‑电流曲线进行拟合,与传统的两点直线法相比,减少了异常点对跨导值‑电流曲线的影响,使得检测获得的阈值电压精确。
搜索关键词: 电流曲线 测试仪器 阈值电压检测 漏极 最小二乘法拟合 最小二乘法 阈值电压Vt 电性连接 基极接地 接地放电 施加电压 阈值电压 传统的 异常点 正整数 直线法 步进 拟合 施加 测试 检测
【主权项】:
1.一种MOS管的阈值电压检测方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1、提供一测试仪器,将所述测试仪器接地放电;步骤S2、将一MOS管与所述测试仪器电性连接;步骤S3、将所述MOS管的基极接地,向所述MOS管的漏极施加偏压Vd;步骤S4、向所述MOS管的栅极按一定步进施加电压Vgi,同时测试所述MOS管的所述漏极的电流Idi;步骤S5、根据Vgi和Idi,采用最小二乘法拟合,得到跨导值‑电流曲线,并根据所述跨导值‑电流曲线处理得到所述MOS管的阈值电压Vt;其中,i=1、2、……、n,n为大于1的正整数。
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