[发明专利]一种应变锗激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 201811289831.X | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109390845B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 孙军强;江佳霖 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/22;H01S5/12 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应变锗激光器及其制作方法，应变锗激光器从下往上依次为：衬底层、第一键合介质层、第二键合介质层、锗层、绝缘介质层、P电极和N电极；锗层中间凹陷区域通过键合与第一键合介质层结合为一体，第二键合介质层支撑锗层的两端。本发明使用第一键合介质层和第二键合介质层，使得应变锗激光器为非悬空结构，相比于悬空结构的激光器，器件的稳定性和导热性能大幅度提高；同时，非悬空结构使得有源区的下表面得到保护，能够降低载流子的表面复合，从而提高激光器的发光效率；通过保留一段长度为四分之一波长的波导为光栅的相移区，打破光栅的模式简并，使光在布拉格波长激射，从而显著提高边模抑制比，该光栅能进一步降低光学损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应变 激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种应变锗激光器，其特征在于，所述应变锗激光器从下往上依次为：衬底层、第一键合介质层、第二键合介质层、锗层、绝缘介质层、P电极和N电极；锗层中间凹陷区域通过键合与第一键合介质层结合为一体，第二键合介质层支撑锗层的两端。
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