[发明专利]一种石墨烯单晶的制备方法在审
| 申请号： | 201811289834.3 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109321973A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 卢维尔;夏洋;赵丽莉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B25/10;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种石墨烯单晶的制备方法，包括：对石墨烯单晶基底进行升温；对升温后的石墨烯单晶基底进行预处理，以去除石墨烯单晶基底中的碳杂质；向预处理后的石墨烯单晶基底依次循环通入生长气体、氧化刻蚀气体及惰性气体，使得石墨烯单晶基底上的石墨烯单晶能够生长，形成石墨烯晶粒；其中，在依次循环通入所述生长气体及所述氧化刻蚀气体时，按照预设的气体增长量逐渐增大所述生长气体及所述氧化刻蚀气体的通入量；如此，在生长过程中，因依次循环通入氧化刻蚀气体，可以减小石墨烯的成核密度；每次是按照预设的气体增长量逐渐增大生长气体的通入量，可以在石墨烯单晶的生长过程中，提供足够量的生长气体，提高了石墨烯单晶的生长速率。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 单晶 基底 生长 刻蚀气体 预处理 生长过程 逐渐增大 预设 制备 惰性气体 晶粒 碳杂质 成核 减小 去除 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯单晶的制备方法，其特征在于，所述方法包括：对石墨烯单晶基底进行升温；对升温后的所述石墨烯单晶基底进行预处理，以去除所述石墨烯单晶基底中的碳杂质；向预处理后的所述石墨烯单晶基底依次循环通入生长气体、氧化刻蚀气体及惰性气体，使得所述石墨烯单晶基底上的石墨烯单晶能够生长，形成石墨烯晶粒；其中，在依次循环通入所述生长气体及所述氧化刻蚀气体时，按照预设的气体增长量逐渐增大所述生长气体及所述氧化刻蚀气体的通入量。
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