[发明专利]一种采用TSV和RDL的三维集成电路散热系统

摘要

本发明公开一种采用TSV和RDL的三维集成电路散热系统，三维集成电路包括依次叠加设置的键合层、硅衬底和有源区，其特征在于，所述硅衬底表面沉积有介质层，介质层内沉积有用于吸收有源区热量的金属线，硅衬底和介质层内设置有与金属线连接的热传导硅通孔，热传导硅通孔竖直穿过介质层。本发明散热系统通过在三维集成电路中设置金属线与热传导硅通孔，使三维集成电路散热均匀，减小芯片内部温度梯度，提高了三维集成电路的性能稳定性。

主权项

1.一种采用TSV和RDL的三维集成电路散热系统，所述三维集成电路(1)包括依次叠加设置的键合层(11)、硅衬底(10)和有源区(8)，其特征在于，所述硅衬底(10)表面沉积有介质层(9)，介质层(9)内沉积有用于吸收有源区(8)热量的金属线(6)，硅衬底(10)和介质层(9)内设置有与金属线(6)连接的热传导硅通孔(2)，热传导硅通孔(2)竖直穿过介质层(9)。