[发明专利]IGBT芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201811291406.4 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111129134B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 黄宝伟;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 张美君 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种IGBT芯片及其制造方法。IGBT芯片包括依次层叠的背面金属层(1)、第二导电类型的截止层(2)、第一导电类型的衬底(3)、有源区、发射极金属层(10)，有源区包括栅极沟槽(5)、发射极沟槽(6)、沟槽氧化层(4)、第一导电类型区(8)、第二导电类型区(7)、绝缘层(9)、以及第二导电类型附加区(11)，其中，第二导电类型附加区(11)将与栅极沟槽(5)相邻的沟槽的底部包围，或者将与栅极沟槽(5)相邻的沟槽全部包围。这样，当该IGBT芯片制成的功率器件承受反偏时，栅极沟槽旁的附加区能够通过耗尽扩展，将栅极沟槽包围在耗尽区中，尤其减小了栅极沟槽底部弯曲处的电场集中度，减小了功率器件失效的风险，提高了鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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