[发明专利]具有垂直沟道的场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供了一种具有垂直沟道的场效应晶体管及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，在衬底上形成鳍结构，鳍结构的底部具有第一掺杂区；S2，在衬底上形成环绕并接触第一掺杂区的底部侧墙；S3，在底部侧墙上形成环绕并接触鳍结构的栅堆叠结构，鳍结构的顶部突出栅堆叠结构设置；S4，在栅堆叠结构上形成环绕并接触鳍结构的顶部侧墙，并在鳍结构表面形成第二掺杂区，至少部分第二掺杂区突出于顶部侧墙设置，第一掺杂区与第二掺杂区构成场效应晶体管的源/漏极。上述制备方法放松了对器件物理栅长以及沟道厚度的限制，不需要采用先进的光刻技术，而且占用的版图面积更小，减小了器件的电阻和电容，从而减低器件功耗，提升开关速度。

主权项

1.一种具有垂直沟道的场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在衬底(10)上形成鳍结构(30)，所述鳍结构(30)的底部具有第一掺杂区(310)；S2，在衬底(10)上形成环绕并接触所述第一掺杂区(310)的底部侧墙(50)；S3，在所述底部侧墙(50)上形成环绕并接触所述鳍结构(30)的栅堆叠结构，所述鳍结构(30)的顶部突出所述栅堆叠结构设置；S4，在所述栅堆叠结构上形成环绕并接触所述鳍结构(30)的顶部侧墙(80)，并在所述鳍结构(30)表面形成第二掺杂区(90)，至少部分所述第二掺杂区(90)突出于所述顶部侧墙(80)设置，所述第一掺杂区(310)与所述第二掺杂区(90)构成所述场效应晶体管的源/漏极。