[发明专利]一种硅基负极复合材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811292204.1 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN109616623A 公开(公告)日: 2019-04-12
发明(设计)人: 尚伟丽;孔令涌;陈彩凤;羊启发;任望保 申请(专利权)人: 深圳市德方纳米科技股份有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/48;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525;C01B32/182
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种硅基负极复合材料,包括硅基材料、包覆于硅基材料表面的金属氧化物层和设置在金属氧化物层外部的石墨烯层,石墨烯层表面具有第一孔洞,金属氧化物层和石墨烯层之间具有空腔结构。由于在金属氧化物层和石墨烯层之间具有空腔结构。本发明提供的硅基负极复合材料,由于该空腔结构为硅基材料在充放电过程中的体积膨胀提供了广阔的空间,因此提高了硅基负极复合材料的循环稳定性能。本发明还提供了一种硅基负极复合材料的制备方法,通过石墨烯表面的第一孔洞使酸溶液与初始金属氧化物层接触,并腐蚀掉部分初始金属氧化物层,从而制备空腔结构。本发明提供的制备方法工艺简单,工艺成本低廉。
搜索关键词: 金属氧化物层 硅基负极 复合材料 空腔结构 石墨烯层 硅基材料 制备 孔洞 循环稳定性能 制备方法工艺 充放电过程 工艺成本 体积膨胀 石墨烯 酸溶液 包覆 腐蚀 外部
【主权项】:
1.一种硅基负极复合材料,其特征在于,包括硅基材料、包覆于所述硅基材料表面的金属氧化物层和设置在所述金属氧化物层外部的石墨烯层,所述石墨烯层表面具有第一孔洞,所述金属氧化物层和所述石墨烯层之间具有空腔结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市德方纳米科技股份有限公司,未经深圳市德方纳米科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811292204.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top