[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201811292332.6 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109755192B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 黄育智;赖季晖;吴邦立;曾英诚;郭婷婷;戴志轩;蔡豪益;王垂堂;刘重希;余振华;刘家宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/528;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体封装件包括集成无源器件(IPD)，集成无源器件(IPD)包括位于第一衬底上方的一个或多个无源器件；以及位于一个或多个无源器件上方并且电连接至一个或多个无源器件的金属化层，其中，金属化层的最顶部金属化层包括多个第一导电图案；以及与导电图案的多个第一导电图案交错的多个第二导电图案。IPD也包括位于最顶部金属化层上方的第一凸块下金属(UBM)结构，其中，第一UBM结构包括多个第一导电带，多个第一导电带的每个均电连接至多个第一导电图案中的相应的一个；多个第二导电带与多个第一导电带交错，多个第二导电带的每个均电连接至多个第二导电图案中的相应的一个。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装件，包括：集成无源器件(IPD)，包括：一个或多个无源器件，位于第一衬底上方；金属化层，位于所述一个或多个无源器件上方并且电连接至所述一个或多个无源器件，其中，所述金属化层的最顶部金属化层包括：多个第一导电图案；和多个第二导电图案，与所述多个第一导电图案交错；以及第一凸块下金属(UBM)结构，位于所述最顶部金属化层上方，其中，所述第一凸块下金属结构包括：多个第一导电带，所述多个第一导电带的每个均电连接至所述多个第一导电图案中的相应的一个；多个第二导电带，与所述多个第一导电带交错，所述多个第二导电带的每个均电连接至所述多个第二导电图案中的相应的一个。
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