[发明专利]电阻元件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201811293060.1 申请日: 2018-11-01
公开(公告)号: CN109920789A 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 狩野太一;澄田仁志;齐藤俊;山路将晴;佐佐木修 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L21/822
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供一种能够使芯片尺寸缩小、能够减少接合线的根数的电阻元件及其制造方法。具备:半导体衬底;第一绝缘膜,其设置于半导体衬底上;电阻层,其设置于第一绝缘膜上;第二绝缘膜,其设置为覆盖第一绝缘膜和电阻层;第一电极,其设置于第二绝缘膜上,与电阻层电连接;中继布线,其设置于第二绝缘膜上且与第一电极相分离,具有与电阻层电连接的电阻层连接端子以及与半导体衬底欧姆连接的衬底连接端子;以及第二电极,其设置于半导体衬底下,其中,第一电极与第二电极之间为电阻体。
搜索关键词: 绝缘膜 电阻层 衬底 半导体 第一电极 第二电极 电阻元件 连接端子 电连接 尺寸缩小 中继布线 电阻体 接合线 相分离 根数 制造 芯片 覆盖
【主权项】:
1.一种电阻元件,其特征在于,具备:半导体衬底;第一绝缘膜,其设置于所述半导体衬底上;电阻层,其设置于所述第一绝缘膜上;第二绝缘膜,其设置为覆盖所述第一绝缘膜和所述电阻层;第一电极,其设置于所述第二绝缘膜上,与所述电阻层电连接;中继布线,其设置于所述第二绝缘膜上且与所述第一电极相分离,具有与所述电阻层电连接的电阻层连接端子以及与所述半导体衬底欧姆连接的衬底连接端子;以及第二电极,其设置于所述半导体衬底下,其中,所述第一电极与所述第二电极之间为电阻体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社,未经富士电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811293060.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top