[发明专利]电阻元件及其制造方法在审
申请号: | 201811293060.1 | 申请日: | 2018-11-01 |
公开(公告)号: | CN109920789A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 狩野太一;澄田仁志;齐藤俊;山路将晴;佐佐木修 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L21/822 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种能够使芯片尺寸缩小、能够减少接合线的根数的电阻元件及其制造方法。具备:半导体衬底;第一绝缘膜,其设置于半导体衬底上;电阻层,其设置于第一绝缘膜上;第二绝缘膜,其设置为覆盖第一绝缘膜和电阻层;第一电极,其设置于第二绝缘膜上,与电阻层电连接;中继布线,其设置于第二绝缘膜上且与第一电极相分离,具有与电阻层电连接的电阻层连接端子以及与半导体衬底欧姆连接的衬底连接端子;以及第二电极,其设置于半导体衬底下,其中,第一电极与第二电极之间为电阻体。 | ||
搜索关键词: | 绝缘膜 电阻层 衬底 半导体 第一电极 第二电极 电阻元件 连接端子 电连接 尺寸缩小 中继布线 电阻体 接合线 相分离 根数 制造 芯片 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种电阻元件,其特征在于,具备:半导体衬底;第一绝缘膜,其设置于所述半导体衬底上;电阻层,其设置于所述第一绝缘膜上;第二绝缘膜,其设置为覆盖所述第一绝缘膜和所述电阻层;第一电极,其设置于所述第二绝缘膜上,与所述电阻层电连接;中继布线,其设置于所述第二绝缘膜上且与所述第一电极相分离,具有与所述电阻层电连接的电阻层连接端子以及与所述半导体衬底欧姆连接的衬底连接端子;以及第二电极,其设置于所述半导体衬底下,其中,所述第一电极与所述第二电极之间为电阻体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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