[发明专利]用于将反应腔室与装载腔室隔离使得污染减少的装置和方法有效
申请号: | 201811293511.1 | 申请日: | 2018-11-01 |
公开(公告)号: | CN109750277B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | C·L·怀特;K·范德如里奥;J·K·舒格鲁;D·马夸特 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 张全信;魏延玲 |
地址: | 荷兰,*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及一种半导体加工装置,其具有:反应腔室,其可以包括具有开口的底板;可移动衬底支撑件,其被配置为支撑衬底;移动元件,其被配置为使保持在所述衬底支撑件上的衬底朝向所述底板的所述开口移动;多个进气口,其位于所述衬底支撑件上方并配置为将气体向下引向所述衬底支撑件;以及密封元件,其被配置为在所述底板与所述衬底支撑件之间形成密封部,所述密封部位于距所述衬底支撑件的中心比所述衬底支撑件的外边缘更大的径向距离处。在一些实施例中,所述密封元件还可以包括延伸穿过所述密封元件的多个孔,所述孔配置为在所述密封元件下方的位置到所述密封元件上方的位置之间提供流动路径。一些实施例包括两个或更多个堆叠的密封元件。 | ||
搜索关键词: | 用于 反应 装载 隔离 使得 污染 减少 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体加工装置,其包含:反应腔室,其包含包括开口的底板;可移动衬底支撑件,其被配置为支撑衬底;移动元件,其被配置为使保持在所述衬底支撑件上的衬底朝向所述底板的所述开口移动;多个进气口,其位于所述衬底支撑件上方并配置为将气体向下引向所述衬底支撑件;以及密封元件,其被配置为在所述底板与所述衬底支撑件之间形成密封部,所述密封部位于距所述衬底支撑件的中心比所述衬底支撑件的外边缘更大的径向距离处。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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