[发明专利]一种低温漂带隙基准电压电路、方法及其芯片有效

专利信息
申请号: 201811295320.9 申请日: 2018-11-01
公开(公告)号: CN109343639B 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 朱光前;张启东;杨银堂 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 西安佩腾特知识产权代理事务所(普通合伙) 61226 代理人: 张倩
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供一种低温漂带隙基准电压电路、方法及其芯片;所述电路包括自偏置模块、带隙基准核心模块、电压生成模块;所述方法包括以下步骤:产生初级基准电压;通过基极电流校正与初级基准电压产生补偿前的基准电压;产生低温漂带隙基准电压。低温漂带隙基准电压电路和方法应用于电源管理芯片中。本发明的优点是:实现了超高精度,超低温度漂移系数的带隙基准电压源电路,可为对基准电压需求较高的电路应用提供高稳定性的基准电压。
搜索关键词: 一种 低温 漂带隙 基准 电压 电路 方法 及其 芯片
【主权项】:
1.一种低温漂带隙基准电压电路,包括:自偏置模块、带隙基准核心模块和电压生成模块;所述自偏置模块提供偏置电压和偏置电流;所述自偏置模块在电源上电过程中作为自启动电路;所述带隙基准核心模块基于Brokaw带隙单元组成,产生初级基准电压:所述带隙基准模块包括基极电流校正电阻;通过在Brokaw带隙单元中三极管对的基极中加入基极电流校正电阻,进行校正运算后产生补偿前的基准电压;所述电压生成模块产生最终的基准电压。
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