[发明专利]采用等效物理结构模型测量SiO有效
| 申请号： | 201811296986.6 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109238155B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 雷李华;李源;蔡潇雨;魏佳斯;王道档;傅云霞;孟凡娇;孔明;张馨尹 | 申请（专利权）人： | 上海市计量测试技术研究院;中国计量大学 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06 |
| 代理公司： | 31113 上海浦东良风专利代理有限责任公司 | 代理人： | 龚英 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明为一种采用等效物理结构模型测量SiO | ||
| 搜索关键词： | 物理结构 微纳米薄膜 多层膜 混合层 基底层 测量 表面粗糙层 薄膜物理 厚度标准 结构模型 量值溯源 模型测量 模型建立 产物膜 椭偏法 椭偏仪 保证 | ||
【主权项】：
1.一种采用等效物理结构模型测量SiO
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