[发明专利]用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构

摘要

本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括半导体衬底，所述半导体衬底包括具有从其突出的半导体鳍状物的N阱区。沟槽隔离层在所述半导体衬底上、包围所述半导体鳍状物，其中所述半导体鳍状物在所述沟槽隔离层上方延伸。栅极电介。质层在所述半导体鳍状物之上。导电层在所述半导体鳍状物之上的所述栅极电介质层之上，所述导电层包括钛、氮和氧。P型金属栅极层在所述半导体鳍状物之上的所述导电层之上。

主权项

1.一种集成电路结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括具有从其突出的第一半导体鳍状物的N阱区以及具有从其突出的第二半导体鳍状物的P阱区，所述第一半导体鳍状物与所述第二半导体鳍状物间隔开，其中，所述N阱区在所述半导体衬底中与所述P阱区直接相邻；沟槽隔离层，其在所述半导体衬底上、在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物的外部并在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间，其中，所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物在所述沟槽隔离层上方延伸；栅极电介质层，其在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物上并在所述沟槽隔离层上，其中，所述栅极电介质层在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间是连续的；导电层，其在所述第一半导体鳍状物之上的所述栅极电介质层之上，但不在所述第二半导体鳍状物之上的所述栅极电介质层之上，所述导电层包括钛、氮和氧；p型金属栅极层，其在所述第一半导体鳍状物之上的所述导电层之上，但不在所述第二半导体鳍状物之上的所述导电层之上，其中，所述p型金属栅极层进一步在所述沟槽隔离层的一部分而非全部上；以及在所述第二半导体鳍状物之上的n型金属栅极层，其中，所述n型金属栅极层进一步在所述沟槽隔离层之上并在所述p型金属栅极层之上。