[发明专利]用于高级集成电路结构制造的外延源极或漏极结构

摘要

本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括：包括硅的鳍状物，所述鳍状物具有下鳍状物部分和上鳍状物部分。栅极电极在所述鳍状物的所述上鳍状物部分之上，所述栅极电极具有与第二侧相对的第一侧。第一外延源极或漏极结构在所述栅极电极的所述第一侧嵌入于所述鳍状物中。第二外延源极或漏极结构在所述栅极电极的所述第二侧嵌入于所述鳍状物中，所述第一和第二外延源极或漏极结构包括硅和锗并具有火柴棍轮廓。

主权项

1.一种集成电路结构，包括：包括硅的鳍状物，所述鳍状物具有下鳍状物部分和上鳍状物部分；所述鳍状物的所述上鳍状物部分之上的栅极电极，所述栅极电极具有与第二侧相对的第一侧；在所述栅极电极的所述第一侧嵌入于所述鳍状物中的第一外延源极或漏极结构；以及在所述栅极电极的所述第二侧嵌入于所述鳍状物中的第二外延源极或漏极结构，所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构包括硅和锗并具有火柴棍轮廓。