[发明专利]用于高级集成电路结构制造的蚀刻停止层形貌在审
| 申请号： | 201811298090.1 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109860101A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | A·W·杨;R·布雷恩;M·L·哈藤多夫;C·P·奥特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L29/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开的实施例处于高级集成电路结构制造的领域，并且尤其是10纳米节点和更小集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括处于衬底上方的层间电介质(ILD)层中并由层间电介质层间隔开的多个导电互连线。多个导电互连线中的个体导电互连线具有低于ILD层的上表面的上表面。蚀刻停止层在ILD层和多个导电互连线上并与其共形，蚀刻停止层具有非平面上表面，该非平面上表面的最上部分在ILD层之上，并且该非平面上表面的最下部分在多个导电互连线之上。 | ||
| 搜索关键词： | 导电互连 上表面 蚀刻停止层 非平面 高级集成电路 集成电路结构 结构制造 形貌 层间电介质层 层间电介质 衬底 共形 制造 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：处于衬底上方的层间电介质(ILD)层中并由所述层间电介质(ILD)层间隔开的多个导电互连线，所述多个导电互连线中的个体导电互连线具有低于所述ILD层的上表面的上表面；处于所述ILD层和所述多个导电互连线上并与其共形的蚀刻停止层，所述蚀刻停止层具有非平面上表面，所述非平面上表面的最上部分在所述ILD层之上，并且所述非平面上表面的最下部分在所述多个导电互连线之上；以及在所述多个导电互连线中的个体导电互连线上并与其电耦合的导电通孔，所述导电通孔在所述蚀刻停止层的开口中，所述开口在所述多个导电互连线中的个体导电互连线之上但不在所述ILD层之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
