[发明专利]导电薄膜、光电半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201811298368.5 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN110047990B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 陈显德 | 申请（专利权）人： | 优显科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 中国台湾台北市信*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种导电薄膜、光电半导体装置及其制造方法。导电薄膜与至少一微尺寸半导体组件及矩阵衬底配合应用，矩阵衬底具有衬底及矩阵电路，矩阵电路设置在衬底上，导电薄膜包括第一膜层以及第二膜层。第一膜层设置在矩阵电路上，并具有多个导电粒子与绝缘材料，这些导电粒子混合在绝缘材料中。第二膜层为绝缘层并设置在第一膜层上；其中，至少部分微尺寸半导体组件位于导电薄膜内，并具有至少一电极，电极通过部分这些导电粒子在矩阵衬底的垂直方向上与矩阵电路电气连接。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 薄膜 光电 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种导电薄膜，与至少一微尺寸半导体组件及矩阵衬底配合应用，所述矩阵衬底具有衬底及矩阵电路，所述矩阵电路设置在所述衬底上，所述导电薄膜的特征在于，包括：第一膜层，设置在所述矩阵电路上，并具有多个导电粒子与绝缘材料，所述导电粒子混合在所述绝缘材料中；以及第二膜层，为绝缘层并设置在所述第一膜层上；其中，至少部分所述微尺寸半导体组件位于所述导电薄膜内，并具有至少一电极，所述电极通过部分所述导电粒子于所述矩阵衬底的垂直方向上与所述矩阵电路电气连接。
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