[发明专利]一种半导体级石英坩埚及其制造方法在审
| 申请号： | 201811298507.4 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109111102A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 何玉鹏 | 申请（专利权）人： | 宁夏富乐德石英材料有限公司 |
| 主分类号： | C03C3/06 | 分类号： | C03C3/06;C03B20/00 |
| 代理公司： | 宁夏合天律师事务所 64103 | 代理人： | 孙彦虎 |
| 地址： | 750021 宁夏回*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 一种半导体级石英坩埚及其制造方法，采用了纯度更高、杂质含量更少的高纯石英砂、高效隔离石英砂、高纯人工合成非晶体态石英砂，通过原料准备、装料、料成型准备、料成型、熔制准备、熔制、后处理步骤，在石英坩埚本体表面生成了第一保护层，在第一保护层表面生成了第二保护层、第三保护层，制得了一种半导体级石英坩埚；一种半导体级石英坩埚，包括石英坩埚本体、第一保护层、第二保护层、第三保护层，第一保护层相对现有技术的微气泡层更厚，第二保护层降低了微气泡引起的硅液面抖动，第三保护层实现半导体级硅棒在拉晶过程中不析晶，实现石英坩埚生产半导体级硅棒，明显降低了半导体级硅棒的结晶缺陷，降低引晶次数，拉晶过程中不会析晶。 | ||
| 搜索关键词： | 石英坩埚 第一保护层 半导体级 半导体级硅 第二保护层 保护层 石英砂 拉晶 熔制 析晶 成型 高纯石英砂 后处理 结晶缺陷 微气泡层 原料准备 装料 非晶体 硅液面 微气泡 抖动 高纯 引晶 制造 隔离 生产 | ||
【主权项】：
1.一种半导体级石英坩埚，其特征在于：包括石英坩埚本体、第一保护层、第二保护层、第三保护层，所述第一保护层设置于石英坩埚本体的内表面上，所述第二保护层设置于第一保护层的上表面，所述第三保护层设置于第一保护层的下表面，所述第二保护层的高度与所述第三保护层的高度相同，所述第二保护层与所述第三保护层在第一保护层表面上相接触，形成完整平滑的层面。
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