[发明专利]基于面外磁各向异性层的自旋霍尔纳米振荡器及制备方法有效
| 申请号： | 201811298649.0 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109437087B | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 金立川;贾侃成;张岱南;钟智勇;杨青慧;张怀武;李颉;唐晓莉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;H01L43/06;H01L43/10;H01L43/14;H03B15/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于面外磁各向异性层的自旋霍尔纳米振荡器，属于微波电子设备技术领域。所述纳米振荡器包括基片，以及依次形成于基片之上的面外磁各向异性的磁性薄膜层和非磁性重金属薄膜层。本发明提供的一种基于面外磁各向异性层的自旋霍尔纳米振荡器中，磁性薄膜层具有面外磁各向异性，相比于传统的基于面内磁各向异性的磁性材料，在相同的驱动电流密度下，面外磁各向异性磁性材料能够获得更大的磁矩进动角和微波输出功率；同时，通过调节电流强度可实现不同功率的高频微波输出，输出微波信号性能良好，且结构简单，功耗低，与CMOS工艺相兼容，易于集成。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 面外磁 各向异性 自旋 霍尔 纳米 振荡器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于面外磁各向异性层的自旋霍尔纳米振荡器，其特征在于，所述纳米振荡器包括基片，以及依次形成于基片之上的面外磁各向异性的磁性薄膜层和非磁性重金属薄膜层。
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