[发明专利]场发射体的制备方法有效
| 申请号： | 201811298852.8 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN111128637B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;王广;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种场发射体的制备方法，包括提供一位于一基体上的碳纳米管阵列以及一阴极基底，该碳纳米管阵列中的碳纳米管包括与基体接触的根部以及与相对远离基体的顶部，该阴极基底包括一基底主体及一形成在该基底主体上的粘结剂层；将所述碳纳米管阵列压制成一碳纳米管纸；将所述阴极基底放置在所述碳纳米管纸上；剥离所述阴极基底，使所述碳纳米管纸中的至少部分碳纳米管与所述基体分离并竖直粘结在所述粘结剂层上；以及固化该粘结剂层。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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