[发明专利]黑体辐射源的制备方法有效
| 申请号： | 201811298948.4 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN111121981B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 王广;魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/52 | 分类号： | G01J5/52;C01B32/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种黑体辐射源的制备方法，包括：提供一黑体辐射腔，一碳纳米管阵列以及一基底，该碳纳米管阵列设置在该基底上；在所述黑体辐射腔的内表面上涂覆一黑漆层；施加一压力于碳纳米管阵列的表面，使所述碳纳米管阵列中的碳纳米管倾倒于所述基底的表面形成一碳纳米管纸，并将该碳纳米管纸放置在黑漆层的表面；以及剥离所述基底，使所述碳纳米管纸中的碳纳米管与所述基底分离并粘结在所述黑漆层上，碳纳米管纸中的碳纳米管在基底和黑漆层的作用力下竖直排列形成所述碳纳米管阵列，进而将所述碳纳米管阵列转移到所述黑漆层上，碳纳米管阵列中的碳纳米管基本垂直于黑漆层的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 黑体 辐射源 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811298948.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：场发射体的制备方法
- 下一篇：碳纳米管阵列的转移方法
