[发明专利]光电化学水裂解有效
申请号: | 201811300081.1 | 申请日: | 2018-11-02 |
公开(公告)号: | CN109750311B | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | S·萨奇德夫;T·贝拉;R·M·巴达;U·斯里瓦斯塔瓦;A·沙玛;G·K·阿查亚 | 申请(专利权)人: | 印度石油有限公司 |
主分类号: | C25B1/04 | 分类号: | C25B1/04;C25B1/55;C25B11/04;C25B9/65 |
代理公司: | 北京汇知杰知识产权代理有限公司 11587 | 代理人: | 杨巍;蔡伦 |
地址: | 印度*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及光电化学水裂解,更具体地,公开了一种电极(300、400、500)。所述电极(300、400、500)包括衬底(302)。此外,所述电极(300、400、500)包括设置在所述衬底(302)上的第一导电层(304)。所述第一导电层(304)由氧化铟锡(ITO)和氟掺杂的氧化锡(FTO)中的至少一种形成。所述电极(300、400、500)还包括设置在所述第一导电层(304)上的至少一个半导体层(308、502)。此外,所述电极(300、400、500)包括分布于所述第一导电层(304)上且适于传导来自所述电极(300、400、500)的电流的至少一个连接器(120、402、504)。 | ||
搜索关键词: | 光电 化学 裂解 | ||
【主权项】:
1.一种电极(300、400、500),其包括:衬底(302);设置在所述衬底(302)上的第一导电层(304),其中所述第一导电层(304)由氧化铟锡(ITO)和氟掺杂的氧化锡(FTO)中的至少一种形成;设置在所述第一导电层(304)上的至少一个半导体层(308、502);及分布于所述第一导电层(304)上且适于传导来自该电极(300、400、500)的电流的至少一个连接器(120、402、504)。
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