[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201811300426.3 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN110390974B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 金雄来;李泰龙 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/12 | 分类号： | G11C8/12 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体器件包括列操作控制电路和存储体列地址发生电路。列操作控制电路在第一模式下响应于合成控制脉冲而从第一存储体选择信号和第二存储体选择信号来产生第一存储体地址控制信号和第二存储体地址控制信号以及第一存储体控制脉冲和第二存储体控制脉冲，使得第一存储体中的数据和第二存储体中的数据被同时输出。存储体列地址发生电路响应于第一存储体地址控制信号和第二存储体地址控制信号来从列地址产生第一存储体列地址和第二存储体列地址，以用于选择第一存储体和第二存储体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：列操作控制电路，其被配置为：在第一模式下，响应于合成控制脉冲，从第一存储体选择信号和第二存储体选择信号来产生第一存储体地址控制信号和第二存储体地址控制信号以及第一存储体控制脉冲和第二存储体控制脉冲，使得第一存储体中的数据和第二存储体中的数据被同时输出；以及存储体列地址发生电路，其被配置为：响应于所述第一存储体地址控制信号和第二存储体地址控制信号来从列地址产生第一存储体列地址和第二存储体列地址，以用于选择所述第一存储体和第二存储体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811300426.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：存储器控制器
- 下一篇：用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案
