[发明专利]半导体装置及其形成方法在审
| 申请号： | 201811301115.9 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN111146268A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 甘铠铨;许书维;宋建宪;陈姿亘 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其形成方法，该半导体装置包括半导体基板、设置于上述半导体基板中的埋藏层、设置于上述埋藏层上及上述半导体基板中的第一阱区、第二阱区、第三阱区与第四阱区。上述半导体装置亦包括设置于上述第二阱区中的源极区、设置于上述第一阱区中的漏极区、设置于上述第一阱区与上述第二阱区之上的栅极结构、以及设置于上述半导体基板中且围绕上述源极区与上述漏极区的深沟槽隔离结构。上述第二阱区围绕上述第一阱区。上述第三阱区与上述第四阱区位于上述第二阱区的相对两侧。上述深沟槽隔离结构穿过上述埋藏层。本发明可降低半导体装置的尺寸、减少或避免基板漏电流的发生，并避免或减轻闩锁效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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