[发明专利]交叉的金属纳米线阵列超级电容器电极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201811301604.4 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109326454B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 宋少先;葛伟;陈天星;易浩;马球林;陈骞 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料与超级电容器电极制备技术领域，具体涉及一种交叉的金属纳米线阵列超级电容器电极材料及其制备方法，其金属纳米线的直径为60～200nm，金属纳米线的表面负载有层状的金属氢氧化物；所述的金属纳米线相互交叉形成一个导电的自支撑结构。本发明的有益效果在于：本发明制备的交叉的金属纳米线直径为60～200nm，具有较小的体积和较大的比表面积能够提供高的体积能量密度。纳米线之间相互连接又相互独立的自支撑结构使得纳米线阵列整体具有很好的导电性并且有利于电解液的快速扩散。制备方法的流程和操作简单，成本低廉，耗时短，无污染，便于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 交叉 金属 纳米 阵列 超级 电容器 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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