[发明专利]SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法有效
| 申请号： | 201811301868.X | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109509507B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 陈静;王硕;王本艳;柴展;葛浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法，包括：发射脉冲激光的脉冲激光辐射装置；设置于步进机台上的被测模块，与脉冲激光辐射装置的激光出射口相对；与被测模块连接的器件供电和信号传输采集模块，用于为被测模块提供电源，并检测被测模块的单粒子翻转效应。提供一具有SRAM存储单元的被测模块，将数据写入SRAM存储单元，待器件供电和信号传输采集模块的输出信号稳定后，将SRAM存储单元配置为保持状态；开启脉冲激光辐射装置，对被测模块进行逐点辐照；当器件供电和信号传输采集模块的输出信号改变时，检测到单粒子翻转。本发明结构简单、试验费用低，基于本发明的单粒子翻转效应的研究周期短。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储 单元 粒子 翻转 测试 电路 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路，其特征在于，所述SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路至少包括：SRAM存储单元及测试单元；其中，所述测试单元连接于所述SRAM存储单元的存储节点，用于检测所述SRAM存储单元中的单粒子翻转效应。
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