[发明专利]碳化硅长晶剩料的综合利用方法有效
| 申请号： | 201811302560.7 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109280977B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 李霞;高超;梁晓亮;宁秀秀;刘家朋;宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B35/00;C30B23/00;B09B3/00 |
| 代理公司： | 37232 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种碳化硅长晶剩料的综合利用方法，所述方法包括如下步骤：S1、将碳化硅长晶剩料中的碳化硅去除获得高纯碳材料；S2、将所述高纯碳材料用于制作保温结构的填充物；S3、将所述保温结构设于碳化硅长晶坩埚外用于保温；S4、当所述保温结构中的所述填充物被侵蚀不能用于保温时，将被侵蚀的所述填充物按照步骤S1—S4的方法重复进行。本申请方法实现了长晶剩料的二次利用，在保证保温材料保温性能一致性的前提下，实现保温材料的循环使用，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 填充物 保温结构 高纯碳 保温 保温材料保温性能 保温材料 二次利用 侵蚀 去除 坩埚 申请 节约 重复 制作 保证 | ||
【主权项】：
1.碳化硅长晶剩料的综合利用方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1、将碳化硅长晶剩料中的碳化硅去除获得高纯碳材料；/nS2、将所述高纯碳材料用于制作保温结构的填充物；/nS3、将所述保温结构设于碳化硅长晶坩埚外用于保温；/nS4、当所述保温结构中的所述填充物被侵蚀不能用于保温时，将被侵蚀的所述填充物按照步骤S1—S4的方法重复进行；步骤S1中，所述碳化硅去除包括如下步骤：/nS11、将碳化硅长晶剩料中的块状碳化硅多晶去除，获得含有碳颗粒的粗料；/nS12、将所述含有碳颗粒的粗料中剩余的碳化硅多晶通过分解升华的方式去除，收集剩余的所述含有碳颗粒的粗料即为高纯碳材料；/n所述分解升华的反应在采用物理气相传输法进行碳化硅长晶坩埚中进行，使用位于所述坩埚顶部的种晶吸附所述分解升华的气体结晶；/n所述保温结构由至少三个保温层可拆卸式连接而成；/n所述保温层包括密闭箱体和装于所述箱体内的所述填充物，所述箱体包括箱壁和箱盖。/n
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