[发明专利]一种碳化硅单晶生长方法有效
| 申请号： | 201811302567.9 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109234804B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 宁秀秀;高超;梁晓亮;李霞;宗艳民;刘家朋;窦文涛 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/06 | 分类号： | C30B23/06;C30B29/36 |
| 代理公司： | 37232 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) | 代理人： | 赵长林 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种碳化硅单晶生长方法，所述方法包括将原料置于碳化硅单晶生长装置中，加热使得原料升华形成碳化硅单晶的步骤，所述晶体生长装置中设置有含有Si与SiC的混合物或Si粉的Si元素补充装置，所述Si元素补充装置设置于原料的内部，在Si元素补充装置上设有若干通孔；所述Si元素补充装置为钽材料坩埚或镀钽石墨材料坩埚；在晶体生长过程中，Si与SiC的混合物或Si粉可穿过通孔为碳化硅单晶的生长补充Si元素。本申请可以有效的调节在碳化硅单晶生长中生长腔室中的Si/C比例，从而减少单晶生长产生的碳包裹体缺陷以及调节原料区的温度场分布，减少原料的碳化。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅单晶 补充装置 生长 混合物 通孔 坩埚 晶体生长过程 晶体生长装置 温度场分布 单晶生长 生长腔室 生长装置 石墨材料 碳包裹 体缺陷 原料区 碳化 加热 申请 穿过 升华 补充 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅单晶生长方法，所述方法包括将原料置于碳化硅单晶生长装置中，加热使得原料升华形成碳化硅单晶的步骤，其特征在于：/n所述碳化硅单晶生长装置中设置有用于调节原料区内温场分布的Si元素补充装置，在所述Si元素补充装置中装有Si与SiC的混合物或Si粉，所述Si元素补充装置设置于原料的内部，在Si元素补充装置上设有若干通孔；所述Si元素补充装置为钽材料坩埚或镀钽石墨材料坩埚；/n在晶体生长过程中，Si与SiC的混合物或Si粉可穿过通孔为碳化硅单晶的生长补充Si元素；/n所述碳化硅单晶生长装置，包括：生长腔，所述生长腔用于放置原料，并提供原料受热升华的场所，所述生长腔分为放置原料的原料部和供原料升华结晶的气相部；所述生长腔中设置若干Si元素补充装置，所述Si元素补充装置设在原料部，所述Si元素补充装置与生长腔的内壁隔离设置；/n所述Si元素补充装置设置在原料部的底部中间区域或靠近生长腔侧壁的区域；/n在单晶生长装置中，Si粉与SiC粉的质量比为1％～4％。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东天岳先进材料科技有限公司，未经山东天岳先进材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811302567.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
