[发明专利]由碳化硅长晶剩料制备高纯碳材料的方法有效
| 申请号： | 201811302578.7 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109437148B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 李霞;高超;梁晓亮;宁秀秀;李加林;宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/05 | 分类号： | C01B32/05 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种由碳化硅长晶剩料制备高纯碳材料的方法。该方法包括如下步骤：将碳化硅长晶剩料中的块状碳化硅多晶去除，获得粗料；将粗料中剩余的碳化硅多晶通过分解升华的方式去除，收集剩余的粗料即为高纯碳材料。所述分解升华的反应条件为：压强5‑50mbar、温度2000‑2500℃。本发明方法具有碳的纯度高、回收率高，方法简单易行，直接利用原有长晶坩埚设备进行，不需要添加新的工艺设备，为高纯碳材料的来源以及碳化硅长晶剩料的利用提供了一种新途径。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 长晶剩料 制备 高纯 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.由碳化硅长晶剩料制备高纯碳材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将碳化硅长晶剩料中的块状碳化硅多晶去除，获得含有碳颗粒的粗料；S2、将所述含有碳颗粒的粗料中剩余的碳化硅多晶通过分解升华的方式去除，收集剩余的所述含有碳颗粒的粗料即为高纯碳材料。
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