[发明专利]碳化硅单晶的连续长晶方法有效
| 申请号： | 201811302584.2 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109234798B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李加林;李宏刚;刘家朋;李长进;孙元行;刘鹏飞;高超 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种碳化硅单晶的连续长晶方法，所述方法以高纯碳化硅粉料为原料按照物理气相传输法生产碳化硅单晶，在所述生产碳化硅单晶过程中，使用高纯硅烷与所述高纯碳化硅粉料中发生碳化的碳颗粒反应再次形成高纯碳化硅粉料持续补充原料，实现碳化硅单晶连续生长。另外，所述方法使用具有双层腔室壁、双层腔室壁侧壁设有开孔、腔室壁底角部为圆弧形设计的坩埚进行。本发明方法在保证大尺寸单晶连续生长、抑制碳化硅粉料边缘碳化、提高粉料质量、降低碳化硅单晶杂质含量、提高碳化硅单晶品质等方面具有重要作用。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅单晶 粉料 高纯碳化硅 双层腔室 碳化 物理气相传输法 底角 大尺寸单晶 碳化硅粉料 方法使用 高纯硅烷 腔室壁 碳颗粒 圆弧形 生长 壁侧 开孔 坩埚 生产 补充 申请 保证 | ||
【主权项】：
1.碳化硅单晶的连续长晶方法，其特征在于，所述方法以高纯碳化硅粉料为原料按照物理气相传输法生产碳化硅单晶，在所述生产碳化硅单晶过程中，使用高纯硅烷与所述高纯碳化硅粉料中发生碳化的碳颗粒反应再次形成高纯碳化硅粉料持续补充原料，实现碳化硅单晶连续生长；所述方法包括如下步骤:S1、将高纯碳化硅粉料和籽晶分别放置于坩埚中用于单晶生长的腔室内的底部和顶部，密封所述腔室；S2、将所述坩埚放入单晶生长炉炉腔内密封并进行预处理；S3、将所述坩埚中用于单晶生长的腔室在单晶生长压力下持续通入混合气体，然后升温至单晶生长温度，进行碳化硅单晶持续生长；所述混合气体中含有所述高纯硅烷；S4、单晶生长结束，获得所述碳化硅单晶；所述混合气体包括:高纯惰性气体、高纯硅烷和高纯氢气；所述混合气体中高纯惰性气体、高纯硅烷和高纯氢气的体积比为(10‑200):(1‑20):1。
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