[发明专利]一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构有效
| 申请号： | 201811303468.2 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109234800B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 高超;刘家朋;李长进;李加林;刘鹏飞;孙元行;李宏刚;宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 陈曦 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种制备碳化硅单晶的可调节热场结构，属于碳化硅单晶的制备领域。该制备碳化硅单晶的可调节热场结构包括：坩埚，放置用于生长碳化硅单晶的原料；加热装置，加热所述坩埚；所述坩埚外部至少套设一个可沿坩埚轴向移动的套环。本申请的可调节热场结构在坩埚外侧增加螺纹及配套的套环，实现坩埚发热区的快速转换，能够快速便捷的实现热场的调整，同时大大降低碳化硅单晶的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 碳化硅 调节 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，其特征在于，所述结构包括：坩埚，放置用于生长碳化硅单晶的原料；加热装置，加热所述坩埚；所述坩埚外部至少套设一个可沿坩埚轴向移动的套环。
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