[发明专利]一种提高连续生长碳化硅单晶品质的方法有效
| 申请号： | 201811303469.7 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109234801B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 高超;李长进;李加林;刘家朋;孙元行;刘鹏飞;李宏刚;窦文涛;宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种提高连续生长碳化硅单晶品质的方法，属于碳化硅单晶的制备领域。所述连续制备碳化硅单晶的方法可通过简单的调节坩埚与套环的相对位置，不需要更换坩埚即可连续制备凸率均匀的碳化硅单晶；并且可针对性的设计特定热场，改变坩埚内部的气相传输路径，从而实现快捷有效的热场和流体控制。本申请的提高连续生长碳化硅单晶品质的方法中，在坩埚外侧增加螺纹及配套的套环装置，实现坩埚发热区的快速转换，能够快速便捷的实现热场的调整，同时大大降低碳化硅单晶的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅单晶 坩埚 热场 连续制备 生长 快速转换 流体控制 气相传输 套环装置 制造成本 发热区 配套的 螺纹 套环 申请 制备 | ||
【主权项】：
1.一种提高连续生长碳化硅单晶品质的方法，所述方法至少包括碳化硅单晶生长的第一生长周期和第二生长周期，其特征在于，所述方法包括以下步骤：第一生长周期：将长晶原料置于坩埚中，并将至少一个套环嵌套在坩埚壁的第一位置上，长晶时坩埚内部的高温区在第一高度上，制得第一碳化硅单晶；第二生长周期：将长晶原料置于坩埚中，调整套环嵌套在坩埚壁上的位置，使得第二生长周期的长晶时坩埚内部的高温区大致在第一高度上，制得第二碳化硅单晶。
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