[发明专利]硅基衬底、衬底基板及其制造方法、光电器件在审

专利信息
申请号: 201811303611.8 申请日: 2018-11-02
公开(公告)号: CN111146320A 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 赵壮;刘磊;乐阮平;王霆;张建军 申请(专利权)人: 华为技术有限公司;中国科学院物理研究所
主分类号: H01L33/22 分类号: H01L33/22;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/16;H01L33/30
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 肖庆武
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请涉及一种硅基衬底、衬底基板及其制造方法、光电器件,涉及电子技术应用领域,包括:硅基衬底,硅基衬底的一面具有周期性的凸起结构,每个凸起结构的侧面与底面存在倾角;设置在硅基衬底具有凸起结构的一面上的三五族材料层。在该衬底基板中,由于硅基衬底的一面不再是硅(100)晶面,而是具有周期性的凸起结构,该凸起结构能够实现位错的自湮灭,将晶格失配以及反相畴所导致的位错限制在硅基衬底这一层,使得三五族材料在该硅基衬底上外延生长时,能够保持整齐的晶体结构,因此,能够减少硅基衬底和三五族材料之间的晶格失配和反相畴等问题,提高三五族材料在该硅基衬底上的良品率。本申请用于在硅基衬底上形成高质量的三五族材料。
搜索关键词: 衬底 及其 制造 方法 光电 器件
【主权项】:
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