[发明专利]一种用于制造二极管芯片的晶片键合工艺在审
| 申请号： | 201811304033.X | 申请日： | 2018-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN109686655A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王伟 | 申请（专利权）人： | 王伟 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/329 |
| 代理公司： | 江苏殊成律师事务所 32265 | 代理人： | 杨桂平 |
| 地址： | 200120 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制造二极管芯片的晶片键合工艺，其步骤如下：（1）将两片硅抛光晶圆浸入氢氟酸中，去除表面的氧化层。（2）将第一晶圆与第二晶圆在室温下叠置进行对准预键合。（3）将键合腔内部真空度提高至3x10‑5Pa。（4）将键合腔内部温度逐渐升高至400‑‑600℃。（5）随后对叠置晶圆施加压力20‑‑100N进行键合2‑‑10分钟。（6）逐渐降低真空度至一个大气压，然后降温至25℃。（7）最后取出键合后的晶圆，工艺完成。本方法是将特定参数的P型硅片和N型硅片直接键合形成PN结，该PN结由于键合界面浓度梯度曲线绝对陡峭，高于外延片的浓度梯度，因此二极管的电学性能优于外延片工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 键合 二极管芯片 晶片键合 浓度梯度 外延片 二极管 浸入 电学性能 键合界面 施加压力 直接键合 逐渐降低 硅抛光 氢氟酸 氧化层 预键合 叠置 对叠 去除 制造 陡峭 对准 升高 取出 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造二极管芯片的晶片键合工艺，其特征在于，其步骤如下：（1）将两片硅抛光晶圆浸入氢氟酸中，去除表面的氧化层；（2）将第一晶圆与第二晶圆在室温下叠置进行对准预键合；（3）将键合腔内部真空度提高至3x10‑5Pa；（4）将键合腔内部温度逐渐升高至400‑‑600℃；（5）随后对叠置晶圆施加压力20‑‑100N进行键合2‑‑10分钟；（6）逐渐降低真空度至一个大气压，然后降温至25℃；（7）最后取出键合后的晶圆，工艺完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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