[发明专利]用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法及装置有效
| 申请号： | 201811306759.7 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109579683B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 朱军华;黄钦文;董显山;苏伟;宋芳芳;恩云飞;刘人怀 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | G01B7/06 | 分类号： | G01B7/06;G01H9/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 陈金普 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法。提供了一种用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法，该方法包括：获取MEMS微梁的结构参数；获取MEMS微梁的吸合电压、固有频率和振型函数；根据MEMS微梁的结构参数、吸合电压、固有频率和振型函数，确定MEMS微梁的厚度。MEMS微梁的结构参数包括MEMS微梁的长度、宽度和高度，高度为MEMS微梁的上表面与位于MEMS微梁下方的底部电极的上表面之间的距离。上述用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法，由于根据MEMS微梁的结构参数、吸合电压、固有频率和振型函数，确定所述MEMS微梁的厚度，因此能够实现微梁厚度的高精度无损在线测量，这对快速准确地评价MEMS器件的性能至关重要。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 原位 测量 mems 厚度 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法，其特征在于，所述方法包括：获取所述MEMS微梁的结构参数，所述结构参数包括所述MEMS微梁的长度、宽度和高度，所述高度为所述MEMS微梁的上表面与位于所述MEMS微梁下方的底部电极的上表面之间的距离；获取所述MEMS微梁的吸合电压、固有频率和振型函数；根据所述MEMS微梁的结构参数、吸合电压、固有频率和振型函数，确定所述MEMS微梁的厚度。
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