[发明专利]用于先进的集成电路结构制造的栅极切割和鳍片修整隔离

摘要

本公开的实施例属于先进的集成电路结构制造的领域，并且具体为10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构。在示例中，一种方法包括形成多个鳍片并在所述多个鳍片上形成多个栅极结构。在所述多个栅极结构中的相邻的栅极结构之间形成电介质材料结构。去除所述多个栅极结构中的第一个栅极结构的一部分以暴露所述多个鳍片中的每一个鳍片的第一部分，并且去除所述多个栅极结构中的第二个栅极结构的一部分以暴露所述多个鳍片中的每一个鳍片的第二部分。去除所述多个鳍片中的每一个鳍片的被暴露的第一部分，但是不去除所述多个鳍片中的每一个鳍片的被暴露的第二部分。

主权项

1.一种制造集成电路结构的方法，所述方法包括：形成多个鳍片，所述多个鳍片中的各个鳍片沿着第一方向；在所述多个鳍片之上形成多个栅极结构，所述栅极结构中的各个栅极结构沿着与第一方向正交的第二方向；在所述多个栅极结构中的相邻的栅极结构之间形成电介质材料结构；去除所述多个栅极结构中的第一个栅极结构的一部分以暴露所述多个鳍片中的每一个鳍片的第一部分，并且去除所述多个栅极结构中的第二个栅极结构的一部分以暴露所述多个鳍片中的每一个鳍片的第二部分；去除所述多个鳍片中的每一个鳍片的被暴露的第一部分但是不去除所述多个鳍片中的每一个鳍片的被暴露的第二部分；以及在所述多个鳍片的被去除的第一部分的位置中形成第一绝缘结构，并且在所述多个栅极结构中的第二个栅极结构的被去除部分的位置中形成第二绝缘结构。