[发明专利]一种高过载保护的真空微电子压力传感器在审

专利信息
申请号: 201811307518.4 申请日: 2018-11-05
公开(公告)号: CN111141425A 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 符小平 申请(专利权)人: 四川中坚环境监测服务有限公司
主分类号: G01L1/16 分类号: G01L1/16;G01L1/26;G01L9/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种高过载保护的真空微电子压力传感器,包括阴极弹性膜层、阳极弹性膜层和绝缘层,所述阴极弹性膜层带过载保护环,在阴极弹性膜层内设有真空微腔和硅微场致发射阴极锥尖阵列,其过载保护环与硅微场致发射阴极锥尖阵列一体化三维集成,在每个锥尖表面均覆盖有金刚石薄膜;所述阳极弹性膜层的上面设有引出电极和绝缘保护膜,在阴极弹性膜层与阳极弹性膜层之间安装有绝缘层。本发明的真空微电子压力传感器,具有过载自保护功能、温度稳定性好、灵敏度高、响应速度快、抗辐射、工作电压低、功耗小、体积小、性能稳定可靠等显著优点,可广泛应用于石油、化工、电力、仪器仪表、机械、汽车、智能结构、航空航天等领域。
搜索关键词: 一种 过载 保护 真空 微电子 压力传感器
【主权项】:
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