[发明专利]一种电压可调控的各向异性磁阻传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811308918.7 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109545956A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 金立川;何昱杰;张岱南;贾侃成;张怀武;唐晓莉;钟智勇;白飞明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电压可调控的各向异性磁阻传感器及其制备方法，属于自旋电子传感器技术领域。所述磁阻传感器包括基片，以及依次形成于基片之上的[非磁性金属氧化薄膜/磁性调控层/磁性响应层]n的多层薄膜和非磁性重金属薄膜，其中，n≥1。本发明提供的一种电压可调控的各向异性磁阻传感器在实现良好的传感特性的同时，还具有磁场探测范围和磁电阻变化率同时可调的特性，可广泛应用于转速控制、角度控制、磁场探测和磁开关等智能控制领域。 | ||
| 搜索关键词： | 各向异性磁阻传感器 可调控 磁场探测 制备 传感器技术领域 磁电阻变化率 智能控制领域 磁阻传感器 非磁性金属 传感特性 磁性响应 多层薄膜 角度控制 氧化薄膜 转速控制 自旋电子 磁开关 调控层 非磁性 可调的 重金属 薄膜 应用 | ||
【主权项】：
1.一种电压可调控的各向异性磁阻传感器，其特征在于，所述磁阻传感器包括基片，以及依次形成于基片之上的[非磁性金属氧化薄膜/磁性调控层/磁性响应层]n的多层薄膜和非磁性重金属薄膜，其中，n≥1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811308918.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁存储装置
- 下一篇：一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法
