[发明专利]硅异质结太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201811309523.9 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109616534B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 檀满林;田勇;郭震 | 申请（专利权）人： | 深圳清华大学研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/075;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 曾昭毅;郑海威 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种硅异质结太阳能电池，依次包括背电极、N型基板、N‑纳米线阵列、I‑本征非晶层、P‑透明NiO导电层和上电极，其中N‑纳米线阵列为基于N型基板刻蚀形成的纳米线簇通过碱性试剂二次刻蚀得到的，包括若干互不接触且上尖下粗的纳米线；N‑纳米线阵列、I‑本征非晶层和P‑透明NiO导电层形成径向异质结。本发明利用二次刻蚀消除纳米线阵列的团簇，在确保足够长度的前提下有效避免纳米线团簇反射大量入射的太阳光而致损失的现象；且通过I‑本征非晶层实现对纳米线阵列的钝化处理，确保了硅异质结太阳能电池的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 硅异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述电池依次包括背电极、N型基板、N‑纳米线阵列、I‑本征非晶层、P‑透明NiO导电层和上电极，其中N‑纳米线阵列为基于N型基板刻蚀形成的纳米线簇通过碱性试剂二次刻蚀得到的，包括若干互不接触且上尖下粗的纳米线；N‑纳米线阵列、I‑本征非晶层和P‑透明NiO导电层形成径向异质结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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