[发明专利]一种基于硅基模式转换的片上少模激光产生系统及方法有效
| 申请号： | 201811309910.2 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109217972B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 饶岚 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | H04J14/04 | 分类号： | H04J14/04;H04J14/02;H04B10/2581;H04B10/25;G02B6/293 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅基模式转换的片上少模激光产生系统及方法。本发明属于集成光学领域。该系统由硅基波导(1)和光纤系统(2)构成环形谐振腔，其中：硅基波导(1)包括硅波导耦合器(14、15)、少模硅基模式复用器(16)/解复用器(13)、少模硅基波导(12)、少模硅基功率耦合器(14)；光纤系统(2)包括泵浦源(24)、光隔离器(23)、掺铒光纤(26)、单模光纤(22)、光波分复用器(25)、光通道选择器(27)、光耦合器(21)。该系统以半导体激光器为泵浦源、掺铒光纤为增益介质，光纤系统和硅基波导构建环形谐振腔，通过控制硅基模式转换产生少模激光，为构建高密度片上系统提供有效的技术方案。 | ||
| 搜索关键词： | 少模 硅基 硅基波导 光纤系统 模式转换 激光产生系统 环形谐振腔 掺铒光纤 泵浦源 构建 半导体激光器 光波分复用器 光通道选择器 功率耦合器 单模光纤 高密度片 光隔离器 光耦合器 集成光学 解复用器 模式复用 系统提供 增益介质 硅波导 耦合器 激光 | ||
【主权项】：
1.一种基于硅基模式转换的片上少模激光产生系统，其特征在于环形谐振腔包括硅基波导(1)和光纤系统(2)，环形谐振腔的构成依次为少模硅基分束器(11)、少模硅基模式解复用器(13)、硅波导单模输出耦合器(14)、光耦合器(21)、光隔离器(23)、单模光波分复用器(25)、单模掺铒光纤(26)、光通道选择器(27)、硅波导单模输入耦合器(15)、少模硅基模式复用器(16)；所述环形谐振腔硅基波导(1)包括：硅波导单模输入耦合器(15)、硅波导单模输出耦合器(14)、少模硅基模式复用器(16)、少模硅基分束器(11)、少模硅基波导(12)、少模硅基模式解复用器(13)；所述环形谐振腔光纤系统(2)包括泵浦源(24)、光隔离器(23)、单模掺铒光纤(26)、单模光纤(22)、单模光波分复用器(25)、光通道选择器(27)、光耦合器(21)。
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