[发明专利]一种超薄层状有机分子铁电薄膜的制备方法以及该铁电薄膜的应用有效
| 申请号： | 201811310771.5 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN109234680B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王欣然;吕未;吴冰;游雨蒙 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C14/12 | 分类号： | C23C14/12;C23C14/24;C23C14/02;H01L41/45;H01L41/193 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 吴飞 |
| 地址： | 210008 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种超薄层状有机分子铁电薄膜的制备方法以及该铁电薄膜的应用，该铁电薄膜的制备方法为：将石墨烯或氮化硼的二维层状材料转移到硅片表面、作为衬底，并以高氯酸咪唑粉末作为生长源；将生长源和衬底置于管式炉的石英管中，两者间隔距离放置，对石英管抽真空；启动管式炉，加热炉体至生长源位置处温度为100～110℃、保温1～2h，生长源通过气相挥发，在石墨烯或氮化硼上沉积形成高氯酸咪唑铁电薄膜。通过有机分子薄膜之间以及有机分子与衬底之间微弱的范德瓦尔斯力作用，采用气相沉积，可得到分子级厚度的超薄层铁电薄膜，并在超薄层薄膜中发现优良的铁电性，其厚度最小可为单分子层(1.2nm)，可应用于铁电场效应晶体管、铁电存储器等电子元器件。 | ||
| 搜索关键词： | 铁电薄膜 生长源 有机分子 衬底 制备 超薄层 氮化硼 高氯酸 管式炉 石墨烯 石英管 咪唑 铁电场效应晶体管 范德瓦尔斯力 有机分子薄膜 应用 电子元器件 铁电存储器 层状材料 单分子层 硅片表面 加热炉体 间隔距离 气相沉积 抽真空 分子级 铁电性 位置处 挥发 沉积 二维 薄膜 保温 发现 | ||
【主权项】：
1.一种超薄层状有机分子铁电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将石墨烯或氮化硼的二维层状材料转移到硅片表面、作为衬底，并以高氯酸咪唑粉末作为生长源；2)将生长源和衬底置于管式炉的石英管中，两者间隔距离放置，对石英管抽真空；3)启动管式炉，加热炉体至生长源位置处温度为100～110℃、保温1～2h，使生长源通过气相挥发，在石墨烯或氮化硼上沉积形成超薄层状高氯酸咪唑铁电薄膜。
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