[发明专利]高电子迁移率晶体管装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201811312055.0 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN111146269A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 谢祁峰;王端玮;孙健仁 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
一种高电子迁移率晶体管装置及其制造方法，高电子迁移率晶体管装置包含衬底；超晶格缓冲层设置于衬底上方，其中超晶格缓冲层包含多组交替层，每组交替层包含交错排列的至少一AlN层和至少一Al |
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| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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