[发明专利]高电子迁移率晶体管装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201811312071.X | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN111146282B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 谢祁峰;王端玮;孙健仁 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205;H01L29/207;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高电子迁移率晶体管装置及其制造方法，其中，该装置包含：基底；多对交替层设置于基底上方且每对交替层包含掺杂碳的氮化镓层和未掺杂的氮化镓层；至少一应力松弛层设置于这些交替层之间；以及氮化镓层设置于这些交替层上方。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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