[发明专利]一种氧化钼薄膜制备方法及以氧化钼薄膜作为空穴传输层的硅异质结太阳电池

摘要

本发明涉及一种氧化钼薄膜制备方法及以该方法制备的氧化钼薄膜作为空穴传输层的晶硅异质结太阳电池，属于半导体薄膜制备和光伏技术领域。本专利所述的氧化钼薄膜制备方法为真空热丝氧化升华沉积法，该工艺具有原材料选取简单，消耗量少，无需衬底加热，工艺参数可控性高，薄膜纯度高等优点；本专利所述方法制备的氧化钼薄膜材料具有：材料分布均匀，表面光滑，光透率较高的特点。以本发明提供的以真空热丝氧化升华沉积法制备的氧化钼薄膜作为空穴选择层的新型硅异质结太阳电池的光电转化效率＞20％。

主权项

1.本发明提供一种氧化钼薄膜及其制备方法，其特征在于，所述氧化钼薄膜的制备方法包括如下步骤：将清洗好的衬底置于真空热丝氧化升华沉积腔体中，用挡板遮挡样品，将高纯钼丝(直径0.5～2mm，纯度99.99％)的两端固定在电极上；对腔体抽真空，使得真空度为＜4×10^‑4Pa；向真空腔体中通入所需流量1‑50sccm的氧气，并使腔体气压在0.1‑10Pa之间；打开钼丝电源，通过调节钼丝电流，控制热丝温度(温度范围在500‑1300℃之间)，使氧气与钼丝发生反应，生成氧化钼；待钼丝温度和气压等各参数稳定后，打开样品挡板，根据时间控制薄膜厚度，待薄膜达到所需厚度，关闭挡板，薄膜沉积结束；关闭氧气，减小热丝电流直至零。待样品冷却后，取出样品，得到所需的氧化钼薄膜。