[发明专利]一种含有晶界相的钐钴永磁体及其制备方法有效
| 申请号： | 201811313384.7 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN111145973B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 颜光辉;刘壮;闫阿儒;张超越;王广庆;朱艳姣;陈仁杰;刘雷;夏卫星;李东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01F1/055 | 分类号： | H01F1/055;H01F41/02 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种含有晶界相的钐钴永磁体及其制备方法。所述含有晶界相的钐钴永磁体具有富含铜元素的晶界相包裹晶粒的组织结构。所述制备方法包括：首先采用传统粉末冶金工艺熔炼钐钴合金铸锭，并将其制备成微米级钐钴合金粉末；将微米级或纳米级CuO粉末与所述钐钴合金粉末混合均匀，之后依次进行磁场取向压型、冷等静压、烧结、固溶和时效处理，获得含有晶界相的钐钴永磁体。本发明的钐钴永磁体具有富含铜元素的晶界相包裹晶粒的组织结构和高的矫顽力，与不含该组织结构的钐钴永磁体相比，随着CuO添加量的提高，钐钴永磁体的室温矫顽力得到大幅提高，提高幅度达到1.5‑2.5倍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含有 晶界相 永磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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