[发明专利]原子层沉积设备及方法在审
| 申请号： | 201811313709.1 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN110541159A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 秦海丰;史小平;李春雷;纪红;赵雷超;张文强 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/448 |
| 代理公司： | 11218 北京思创毕升专利事务所 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种原子层沉积设备及方法。该设备包括反应腔室和气体传输系统；所述气体传输系统包括前驱体传输管路、前驱体吹扫管路、连接管路、与所述前驱体传输管路可通断性连接的前驱体源瓶，以及设置在与所述前驱体源瓶的出口连接的前驱体传输管路上的气体存储器；所述前驱体传输管路和所述前驱体吹扫管路共同汇入所述反应腔室；所述连接管路可通断性连接所述前驱体传输管路和所述前驱体吹扫管路。本发明通过在与前驱体源瓶出口连接的前驱体传输管路段内增加气体存储器，保证了对腔室反应的气体有效均匀的供给，并且降低了前驱体源瓶出口处的管路内的高压。 | ||
| 搜索关键词： | 前驱体 传输管路 前驱体源 吹扫管路 气体传输系统 气体存储器 出口连接 反应腔室 连接管路 通断 原子层沉积设备 传输管 腔室 保证 | ||
【主权项】：
1.一种原子层沉积设备，其特征在于，包括反应腔室和气体传输系统；/n所述气体传输系统包括前驱体传输管路、前驱体吹扫管路、连接管路、与所述前驱体传输管路可通断性连接的前驱体源瓶，以及设置在与所述前驱体源瓶的出口连接的前驱体传输管路上的气体存储器；/n所述前驱体传输管路和所述前驱体吹扫管路共同汇入所述反应腔室；/n所述连接管路可通断性连接所述前驱体传输管路和所述前驱体吹扫管路。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
