[发明专利]一种低成本P型全背电极晶硅太阳电池的制备方法

摘要

本发明涉及太阳电池技术领域，尤其是一种低成本P型全背电极晶硅太阳电池的制备方法；包括以下步骤：以P型单晶硅片作为硅衬底，首先进行抛光或者制绒处理，在电池两面生长隧穿氧化硅薄膜和本征的多晶硅薄膜，磷扩散在电池背面沉积SiNx薄膜，采用激光烧蚀电池背面背表面场区域的氮化硅；制绒处理，去除背面结区的掩膜氮化硅及磷硅玻璃，双面沉积氧化铝薄膜，分别在电池正、背面沉积氮化硅薄膜，激光烧蚀背面背场区域部分氧化铝/氮化硅薄膜形成局域铝背场，背场区域采用背银+铝浆结构；本发明的全背电极太阳电池的制备方法效率高，银浆用量少，且无硼扩散等昂贵工艺，电池生产成本低。

主权项

1.一种低成本P型全背电极晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：（1）以P型单晶硅片作为硅衬底，首先进行抛光或者制绒处理，所用的溶液为KOH溶液，KOH溶液的温度为70‑90℃；（2）然后在2‑5%的HF溶液中进行清洗，清洗干净硅片表面；（3）在电池两面生长隧穿氧化硅薄膜和本征的多晶硅薄膜，隧穿氧化硅厚度<2nm，多晶硅薄膜厚度>100nm；（4）进行磷扩散工艺，时间0.5h‑2h，将本征多晶硅薄膜变成n型多晶硅薄膜，方阻控制在50‑100ohm/sq的范围内；（5）在电池背面沉积SiNx薄膜，厚度控制在40‑80nm；（6）采用激光烧蚀电池背面背表面场区域的氮化硅；（7）在1‑5%的HF溶液中浸泡1‑5分钟去除背表面场区域的磷硅玻璃及激光产生的氧化层，然后在10‑30%的KOH溶液中浸泡1‑5分钟去除该区域的多晶硅薄膜，最后在1‑5%的HF溶液中浸泡1‑2分钟去除该区域的隧穿氧化层，去除背面背场区域的磷硅玻璃/多晶硅/隧穿氧化层时，电池正表面的磷硅玻璃/多晶硅/隧穿氧化层也得以去除；（8）在KOH溶液中进行制绒处理，KOH溶液的温度为80℃；（9）在10‑20%的HF溶液中浸泡15‑45分钟以去除背面结区的掩膜氮化硅及磷硅玻璃；（10）双面沉积氧化铝薄膜，厚度控制在3‑12nm；（11）分别在电池正、背面沉积氮化硅薄膜；（12）激光烧蚀背面背场区域部分氧化铝/氮化硅薄膜形成局域铝背场；（13）背面丝网印刷、烧结，结区采用银浆，背场区域采用背银+铝浆结构，铝浆用于形成局域铝背场，背银用于焊接，烧结温度控制在700‑800度之间。