[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质有效
申请号: | 201811314848.6 | 申请日: | 2018-11-06 |
公开(公告)号: | CN109768001B | 公开(公告)日: | 2023-10-17 |
发明(设计)人: | 清瀬浩巳 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。基板处理装置具备:至少一个液膜形成部,其在基板形成干燥防止用的液体的液膜;至少一个干燥处理部,其使形成有液膜的基板干燥;以及搬送机构,其从液膜形成部取出形成有液膜的基板,搬送到干燥处理部。通过搬送时间调节操作或者初始液膜厚度调节操作,使得在干燥处理部中开始干燥处理时存在于基板上的液膜的厚度处于目标范围内,其中,所述搬送时间调节操作是调节利用搬送机构将形成有液膜的基板从液膜形成部搬送到干燥处理部的搬送时间来调节构成存在于基板上的液膜的液体在基板的搬送中的挥发量的操作,所述初始液膜厚度调节操作是调节通过液膜形成部在基板上形成的液膜的厚度的操作。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 以及 存储 介质 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,具备:至少一个液膜形成部,其在基板的表面形成保护液的液膜;至少一个干燥处理部,其收容形成有所述液膜的所述基板,并使所述基板干燥;搬送机构,其从所述液膜形成部取出形成有所述液膜的所述基板,搬送到所述干燥处理部;以及控制部,其通过搬送时间调节操作或者初始液膜厚度调节操作,使得在所述干燥处理部中开始干燥处理时存在于所述基板的表面的液膜的厚度处于目标范围内,其中,所述搬送时间调节操作是调节利用所述搬送机构将所述基板从所述液膜形成部搬送到所述干燥处理部的搬送时间来调节构成存在于所述基板的表面的所述液膜的液体在所述基板的搬送中的挥发量的操作,所述初始液膜厚度调节操作是调节通过所述液膜形成部在所述基板的表面形成的所述液膜的厚度的操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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